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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NCE60H10F

NCE60H10F 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 10:20:30 查看 閱讀�8

NCE60H10F是一款高性能的MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管),主要應用于開關電源、電機驅動和逆變器等領域。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,能夠有效提高系�(tǒng)效率并減少功率損耗�
  這款MOSFET屬于N溝道增強型器�,適用于高頻應用場合,其�(yōu)化設計使其在高電流和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色,同時具備良好的抗靜電能力(ESD保護��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�10A
  導通電阻:4mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關時間:ton=18ns,toff=25ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

1. 極低的導通電�,可顯著降低傳導損�,提高整體能��
  2. 高速開關特性,適合高頻應用,如DC-DC轉換器和開關模式電源(SMPS��
  3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下可靠運��
  4. 內置防靜電保護電路,增強了器件的魯棒��
  5. 小型化封�,節(jié)省PCB空間,便于設計集成�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

應用

1. 開關電源(Switching Power Supplies�
  2. DC-DC轉換�
  3. 電機驅動與控�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 太陽能逆變�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模�
  7. 汽車電子中的負載切換和保護電�

替代型號

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP15U60A
  IXFK10N60T2

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