SO-8 N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用Fairchild�(zhuān)有的高單元密度DMOS技�(shù)生產(chǎn)。這種非常高密度的工藝是專(zhuān)門(mén)為提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和最小化�(dǎo)通電阻而定制的。這些�(shè)備特別適用于低電壓應(yīng)用,如磁�(pán)�(qū)�(dòng)器電�(jī)控制、電池供電電�,需要快速切�、低在線功耗和瞬態(tài)電阻�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.1Ω
耗散功率�2 W
閾值電壓:.7 V
輸入電容�45 pF
漏源極電�(Vds)�60 V
上升�(shí)間:7.5 ns
輸入電容(Ciss)�345pF 25V(Vds)
額定功率(Max)�900 mW
下降�(shí)間:7 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�2 W
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:SOIC-8
�(zhǎng)度:4.9 mm
寬度�3.9 mm
高度�1.57 mm
封裝:SOIC-8
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tape&Reel(TR)
制造應(yīng)用:工業(yè),電源管理