NGB18N40ACLBT4G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它能夠承受高達 40V 的漏源電壓,并提供最� 18A 的連續(xù)漏極電流�
這款功率 MOSFET 在設(shè)計時注重效率與性能的平�,廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及其他需要高效功率控制的場合�
漏源電壓(Vds):40V
柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):18A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):9.5mΩ(典型�,Vgs=10V 時)
柵極電荷(Qg):17nC(典型值)
總功耗(Ptot):220W
工作溫度范圍�-55� � +175�
NGB18N40ACLBT4G 提供了優(yōu)異的電氣性能和可靠性,其關(guān)鍵特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 較高的開�(guān)速度,支持高頻操作,從而降低開�(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒性�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需求�
5. 緊湊� TO-263 封裝形式,簡化了 PCB 布局�(shè)計并提高了散熱性能�
6. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種極端�(huán)境下的應(yīng)用需��
該功� MOSFET 可用于多個領(lǐng)域的實際�(yīng)用中,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)��
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�(guān)或保護電��
3. 各類電機�(qū)動電路中的功率級元件�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)組件�
6. 其他需要高效功率切換的�(yīng)用場景�
NGB18N40ACLT4G, IRFZ44N, FDP18N40