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NGB18N40ACLBT4G 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 3:30:59 查看 閱讀�17

NGB18N40ACLBT4G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它能夠承受高達 40V 的漏源電壓,并提供最� 18A 的連續(xù)漏極電流�
  這款功率 MOSFET 在設(shè)計時注重效率與性能的平�,廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及其他需要高效功率控制的場合�

參數(shù)

漏源電壓(Vds):40V
  柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):18A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):9.5mΩ(典型�,Vgs=10V 時)
  柵極電荷(Qg):17nC(典型值)
  總功耗(Ptot):220W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

NGB18N40ACLBT4G 提供了優(yōu)異的電氣性能和可靠性,其關(guān)鍵特性包括以下幾點:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 較高的開�(guān)速度,支持高頻操作,從而降低開�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒性�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需求�
  5. 緊湊� TO-263 封裝形式,簡化了 PCB 布局�(shè)計并提高了散熱性能�
  6. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種極端�(huán)境下的應(yīng)用需��

�(yīng)�

該功� MOSFET 可用于多個領(lǐng)域的實際�(yīng)用中,例如:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)��
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�(guān)或保護電��
  3. 各類電機�(qū)動電路中的功率級元件�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)組件�
  6. 其他需要高效功率切換的�(yīng)用場景�

替代型號

NGB18N40ACLT4G, IRFZ44N, FDP18N40

ngb18n40aclbt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ngb18n40aclbt4g參數(shù)

  • 標準包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)430V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2V @ 4.5V�10A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)18A
  • 功率 - 最�115W
  • 輸入類型邏輯
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)