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NGB8206NG 發(fā)布時間 時間：2023/11/22 16:59:17 查看 閱讀：249

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

目錄

概述

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
封裝 / 箱體: TO-263-3
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 390 V
集電極—射極擊穿電壓: 350 V
集電極—射極飽和電壓: 50 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 15 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 20 A
柵極—射極漏泄電流: 150 W
功率耗散: 150 W
封裝: Tube
配置: Single

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ngb8206ng參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）390V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）1.9V @ 4.5V，20A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）20A
  • 功率 - 最大150W
  • 輸入類型邏輯
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D2PAK
  • 包裝管件