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NIS5112D2R2G 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 10:42:01 查看 閱讀�22

NIS5112D2R2G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的功率場效應晶體管 (Power FET),由 Navitas Semiconductor 生產。該器件專為高效�、高頻應用設�,采� GaNFast 技術以實現更快的開關速度和更高的功率密度。它通常被用于消費電子設備中的快速充電器、適配器以及其他電源轉換系統(tǒng)��
  該型號采用了 DFN 封裝形式,能夠顯著減少寄生電感并�(yōu)化散熱性能,從而提升整體系�(tǒng)效能。此�,由于其內置驅動器與保護功能,可以簡化電路設計并降低 BOM 成本�

參數

型號:NIS5112D2R2G
  類型:增強型氮化鎵功率場效應晶體管(eGaN FET�
  工作電壓�600V
  導通電阻:2.2Ω(典型�,在 25°C 下測量)
  柵極驅動電壓�5V � 18V
  最大漏極電流:9A(脈沖條件)
  封裝形式:DFN-8 (3x3mm)
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

NIS5112D2R2G 的主要特點是其高性能和集成度�
  1. 基于先進的氮化鎵技術,提供比傳�(tǒng)� MOSFET 更高的效率和更小的尺��
  2. 內置驅動器,無需外部驅動電路,可直接� PWM 控制信號驅動�
  3. 快速開關速度支持 MHz 級別的工作頻�,適用于高頻 DC-DC 轉換器�
  4. 具備短路保護和過溫保護功�,提高系�(tǒng)的可靠性和安全��
  5. 低寄生電感的封裝設計進一步優(yōu)化了高頻性能和熱管理能力�
  6. 可在較寬的工作溫度范圍內保持�(wěn)定性能�

應用

這款 GaN 功率器件非常適合以下應用場景�
  1. USB-PD 快速充電器和適配器�
  2. 開關電源(SMPS)和 AC-DC 轉換��
  3. 高頻 DC-DC 轉換��
  4. 消費類電子產品中的高效能電源模塊�
  5. 工業(yè)及通信領域的緊湊型電源解決方案�
  6. LED 驅動器和其他需要高效率、小型化設計的電力電子設備�

替代型號

NIS6015B2R2G, NCP4306

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nis5112d2r2g參數

  • 標準包裝2,500
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - �(wěn)�/電流管理
  • 系列-
  • 功能電子保險�
  • 檢測方法-
  • 精確�-
  • 輸入電壓9 V ~ 18 V
  • 電流 - 輸出2A
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NIS5112D2R2G-NDNIS5112D2R2GOSTR