NIS5112D2R2G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的功率場效應晶體管 (Power FET),由 Navitas Semiconductor 生產。該器件專為高效�、高頻應用設�,采� GaNFast 技術以實現更快的開關速度和更高的功率密度。它通常被用于消費電子設備中的快速充電器、適配器以及其他電源轉換系統(tǒng)��
該型號采用了 DFN 封裝形式,能夠顯著減少寄生電感并�(yōu)化散熱性能,從而提升整體系�(tǒng)效能。此�,由于其內置驅動器與保護功能,可以簡化電路設計并降低 BOM 成本�
型號:NIS5112D2R2G
類型:增強型氮化鎵功率場效應晶體管(eGaN FET�
工作電壓�600V
導通電阻:2.2Ω(典型�,在 25°C 下測量)
柵極驅動電壓�5V � 18V
最大漏極電流:9A(脈沖條件)
封裝形式:DFN-8 (3x3mm)
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
NIS5112D2R2G 的主要特點是其高性能和集成度�
1. 基于先進的氮化鎵技術,提供比傳�(tǒng)� MOSFET 更高的效率和更小的尺��
2. 內置驅動器,無需外部驅動電路,可直接� PWM 控制信號驅動�
3. 快速開關速度支持 MHz 級別的工作頻�,適用于高頻 DC-DC 轉換器�
4. 具備短路保護和過溫保護功�,提高系�(tǒng)的可靠性和安全��
5. 低寄生電感的封裝設計進一步優(yōu)化了高頻性能和熱管理能力�
6. 可在較寬的工作溫度范圍內保持�(wěn)定性能�
這款 GaN 功率器件非常適合以下應用場景�
1. USB-PD 快速充電器和適配器�
2. 開關電源(SMPS)和 AC-DC 轉換��
3. 高頻 DC-DC 轉換��
4. 消費類電子產品中的高效能電源模塊�
5. 工業(yè)及通信領域的緊湊型電源解決方案�
6. LED 驅動器和其他需要高效率、小型化設計的電力電子設備�
NIS6015B2R2G, NCP4306