NLVASB3157DFT2G 是一款由安森美(onsemi)推出的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�。其封裝形式為DFN8�2mm x 2mm),適合空間受限的應(yīng)用環(huán)��
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)�。由于其�(yōu)異的電氣性能和小型化的封�,使其成為設(shè)�(jì)緊湊型和高性能電路的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻:6mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�1.9nC(典型值)
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=4ns,toff=9ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
封裝類型:DFN8�2mm x 2mm�
NLVASB3157DFT2G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高開(kāi)�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需求�
3. 小型化封�,節(jié)省PCB空間,非常適合便攜式和緊湊型�(shè)備�
4. 出色的熱性能,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
5. 支持寬范圍的工作溫度,能夠在�(yán)苛環(huán)境下可靠工作�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
這些特點(diǎn)使得NLVASB3157DFT2G 成為同步整流器、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用的理想選擇�
NLVASB3157DFT2G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模�,如智能手機(jī)和平板電��
2. 通信�(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)和電源分��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切��
4. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
5. 各種便攜式設(shè)備的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
其卓越的性能和可靠�,使它成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元器件之一�
NLASB3157T1G, NLASB3157T2G, NLVDS115N3LFT1G