NRS4018T100MDGJ 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,專為高頻率、高效率�(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該型號屬于納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)推出的 GaNFast 系列�(chǎn)�,采� All-GaN 工藝制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于快充適配�、電源管理、消�(fèi)類電子等�(lǐng)��
與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,NRS4018T100MDGJ 提供了更小的封裝尺寸和更高的能效,從而實(shí)�(xiàn)更緊湊、更輕便的設(shè)�(jì)�
額定電壓�650V
�(dǎo)通電阻:100mΩ
最大電流:20A
柵極�(qū)動電壓:6V典型
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝形式:DFN8 (3.3mm x 3.3mm)
反向恢復(fù)電荷:無 (零反向恢�(fù)電荷)
開關(guān)頻率:支持高�(dá) MHz 級別
NRS4018T100MDGJ 的主要特性包括:
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的�(dú)特優(yōu)�,該芯片具備更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力:其高頻�(yùn)行能力可大幅減小磁性元件體�,從而降低整體解決方案尺��
3. �(nèi)置驅(qū)動器:集成了 GaN 和驅(qū)動器的單片設(shè)�(jì),簡化了電路�(shè)�(jì)流程并減少了外圍元器件數(shù)��
4. 零反向恢�(fù)電荷:消除了傳統(tǒng) Si 器件中常見的反向恢復(fù)問題,�(jìn)一步提高了效率和可靠��
5. 小型化封裝:DFN8 封裝使其非常適合對空間有�(yán)格要求的�(yīng)用場景�
6. 寬禁帶技�(shù):基于寬禁帶半導(dǎo)體材� GaN,能夠在更高溫度下穩(wěn)定工�,同時具備更好的熱管理性能�
NRS4018T100MDGJ 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. USB PD 快速充電器:用于高� AC/DC �(zhuǎn)�,提供更高功率密度和更快充電速度�
2. 消費(fèi)類電源適配器:例如筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源適配��
3. 開關(guān)電源 (SMPS):在各種工業(yè)和商�(yè)場合中用作高性能 DC/DC � AC/DC �(zhuǎn)換器�
4. LED �(qū)動器:用于高效率 LED 照明系統(tǒng)�
5. �(shù)�(jù)中心電源:提供更高效的電源轉(zhuǎn)換解決方案以滿足�(shù)�(jù)中心日益增長的需��
6. 電動工具及家電:支持需要高頻高效工作的家用電器或手持工��
NRS4018T60MGJ, NRS4018T80MGJ