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NTD20N06LT4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/12 11:54:03 查看 閱讀：861

NTD20N06LT4G技術(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)：60

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)：48

最大漏極電流Id(on)(A)：20

通道極性：N溝道

封裝/溫度(℃)：DPAK 4/-55 ~150

描述：20 A, 60 V功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
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  • 描述
  • 品牌
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ntd20n06lt4g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C48 毫歐 @ 10A，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs32nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds990pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.36W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTD20N06LT4GOSNTD20N06LT4GOS-NDNTD20N06LT4GOSTR