NTD20N06LT4G技術(shù)參數(shù)
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):48
最大漏極電流Id(on)(A):20
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:20 A, 60 V功率MOSFET
IC型號(hào)索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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