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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTD4810N-1G

NTD4810N-1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 19:35:28 查看 閱讀�25

NTD4810N-1G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� Nexperia(原 Philips 半導(dǎo)體)� Small Signal MOSFET 系列。該器件采用 SOT23 封裝,具有體積小、開�(guān)速度快和低導(dǎo)通電阻的特點,廣泛應(yīng)用于各種電子�(shè)備中,特別是在便攜式�(shè)�、電源管理電路和信號切換場景中�
  NTD4810N-1G 的設(shè)計旨在提供高效的電流控制和較低的功�,其高擊穿電壓和快速開�(guān)能力使其非常適合在低壓應(yīng)用中使用�

參數(shù)

型號:NTD4810N-1G
  封裝:SOT23
  VDS(漏源極耐壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值@VGS=10V):0.55Ω
  ID(連續(xù)漏極電流):1.1A
  VGS(th)(閾值電壓)�1.5V~2.5V
  Qg(柵極電荷)�7nC
  fSW(最大開�(guān)頻率):5MHz
  工作溫度范圍�-55℃~150�

特�

NTD4810N-1G 具有以下主要特性:
  1. 小型化封裝:采用 SOT23 封裝,適合空間受限的�(yīng)用場��
  2. 高效率:具備低導(dǎo)通電� RDS(on),從而降低傳�(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)能力:由于其較小的柵極電� Qg,能夠支持高頻開�(guān)操作�
  4. 寬工作溫度范圍:能夠� -55� � +150� 的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工��
  5. 低靜�(tài)功耗:�(dāng)處于�(guān)斷狀�(tài)時,漏電流極�,有助于延長電池供電�(shè)備的使用壽命�
  6. 抗靜電性能�(qiáng):ESD 耐受性符� JEDEC �(biāo)�(zhǔn),提高了�(chǎn)品的可靠��

�(yīng)�

NTD4810N-1G 可應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源中的功率級控��
  2. 各類�(fù)載開�(guān),如 LED �(qū)動、電�(jī)�(qū)動等�
  3. 電池保護(hù)電路,用于防止過流或短路�
  4. �(shù)�(jù)通信線路保護(hù)與切��
  5. 便攜式電子產(chǎn)品,例如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與傳輸�
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的低壓邏輯兼容開關(guān)�

替代型號

NTD4905N, PSMN012-30PL, BSS138

ntd4810n-1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntd4810n-1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 12V
  • 功率 - 最�1.28W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引�,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�I-Pak
  • 包裝管件