NTD4810N-1G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� Nexperia(原 Philips 半導(dǎo)體)� Small Signal MOSFET 系列。該器件采用 SOT23 封裝,具有體積小、開�(guān)速度快和低導(dǎo)通電阻的特點,廣泛應(yīng)用于各種電子�(shè)備中,特別是在便攜式�(shè)�、電源管理電路和信號切換場景中�
NTD4810N-1G 的設(shè)計旨在提供高效的電流控制和較低的功�,其高擊穿電壓和快速開�(guān)能力使其非常適合在低壓應(yīng)用中使用�
型號:NTD4810N-1G
封裝:SOT23
VDS(漏源極耐壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值@VGS=10V):0.55Ω
ID(連續(xù)漏極電流):1.1A
VGS(th)(閾值電壓)�1.5V~2.5V
Qg(柵極電荷)�7nC
fSW(最大開�(guān)頻率):5MHz
工作溫度范圍�-55℃~150�
NTD4810N-1G 具有以下主要特性:
1. 小型化封裝:采用 SOT23 封裝,適合空間受限的�(yīng)用場��
2. 高效率:具備低導(dǎo)通電� RDS(on),從而降低傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)能力:由于其較小的柵極電� Qg,能夠支持高頻開�(guān)操作�
4. 寬工作溫度范圍:能夠� -55� � +150� 的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工��
5. 低靜�(tài)功耗:�(dāng)處于�(guān)斷狀�(tài)時,漏電流極�,有助于延長電池供電�(shè)備的使用壽命�
6. 抗靜電性能�(qiáng):ESD 耐受性符� JEDEC �(biāo)�(zhǔn),提高了�(chǎn)品的可靠��
NTD4810N-1G 可應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源中的功率級控��
2. 各類�(fù)載開�(guān),如 LED �(qū)動、電�(jī)�(qū)動等�
3. 電池保護(hù)電路,用于防止過流或短路�
4. �(shù)�(jù)通信線路保護(hù)與切��
5. 便攜式電子產(chǎn)品,例如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與傳輸�
7. 汽車電子系統(tǒng)中的低壓邏輯兼容開關(guān)�
NTD4905N, PSMN012-30PL, BSS138