時間：2025/5/20 19:35:28
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NTD4810N-1G 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），屬于 Nexperia（原 Philips 半導(dǎo)體）的 Small Signal MOSFET 系列。該器件采用 SOT23 封裝，具有體積小、開關(guān)速度快和低導(dǎo)通電阻的特點，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，特別是在便攜式設(shè)備、電源管理電路和信號切換場景中。
NTD4810N-1G 的設(shè)計旨在提供高效的電流控制和較低的功耗，其高擊穿電壓和快速開關(guān)能力使其非常適合在低壓應(yīng)用中使用。
型號：NTD4810N-1G
封裝：SOT23
VDS（漏源極耐壓）：60V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值@VGS=10V）：0.55Ω
ID（連續(xù)漏極電流）：1.1A
VGS(th)（閾值電壓）：1.5V~2.5V
Qg（柵極電荷）：7nC
fSW（最大開關(guān)頻率）：5MHz
工作溫度范圍：-55℃~150℃
NTD4810N-1G 具有以下主要特性：
1. 小型化封裝：采用 SOT23 封裝，適合空間受限的應(yīng)用場景。
2. 高效率：具備低導(dǎo)通電阻 RDS(on)，從而降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)能力：由于其較小的柵極電荷 Qg，能夠支持高頻開關(guān)操作。
4. 寬工作溫度范圍：能夠在 -55℃ 至 +150℃ 的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
5. 低靜態(tài)功耗：當(dāng)處于關(guān)斷狀態(tài)時，漏電流極低，有助于延長電池供電設(shè)備的使用壽命。
6. 抗靜電性能強(qiáng)：ESD 耐受性符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，提高了產(chǎn)品的可靠性。
NTD4810N-1G 可應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源中的功率級控制。
2. 各類負(fù)載開關(guān)，如 LED 驅(qū)動、電機(jī)驅(qū)動等。
3. 電池保護(hù)電路，用于防止過流或短路。
4. 數(shù)據(jù)通信線路保護(hù)與切換。
5. 便攜式電子產(chǎn)品，例如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與傳輸。
7. 汽車電子系統(tǒng)中的低壓邏輯兼容開關(guān)。
NTD4905N, PSMN012-30PL, BSS138
