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NTD4810N-1G 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 19:35:28 查看 閱讀:25

NTD4810N-1G 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于 Nexperia(原 Philips 半導(dǎo)體)的 Small Signal MOSFET 系列。該器件采用 SOT23 封裝,具有體積小、開關(guān)速度快和低導(dǎo)通電阻的特點,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在便攜式設(shè)備、電源管理電路和信號切換場景中。
  NTD4810N-1G 的設(shè)計旨在提供高效的電流控制和較低的功耗,其高擊穿電壓和快速開關(guān)能力使其非常適合在低壓應(yīng)用中使用。

參數(shù)

型號:NTD4810N-1G
  封裝:SOT23
  VDS(漏源極耐壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值@VGS=10V):0.55Ω
  ID(連續(xù)漏極電流):1.1A
  VGS(th)(閾值電壓):1.5V~2.5V
  Qg(柵極電荷):7nC
  fSW(最大開關(guān)頻率):5MHz
  工作溫度范圍:-55℃~150℃

特性

NTD4810N-1G 具有以下主要特性:
  1. 小型化封裝:采用 SOT23 封裝,適合空間受限的應(yīng)用場景。
  2. 高效率:具備低導(dǎo)通電阻 RDS(on),從而降低傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開關(guān)能力:由于其較小的柵極電荷 Qg,能夠支持高頻開關(guān)操作。
  4. 寬工作溫度范圍:能夠在 -55℃ 至 +150℃ 的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
  5. 低靜態(tài)功耗:當(dāng)處于關(guān)斷狀態(tài)時,漏電流極低,有助于延長電池供電設(shè)備的使用壽命。
  6. 抗靜電性能強(qiáng):ESD 耐受性符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn),提高了產(chǎn)品的可靠性。

應(yīng)用

NTD4810N-1G 可應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源中的功率級控制。
  2. 各類負(fù)載開關(guān),如 LED 驅(qū)動、電機(jī)驅(qū)動等。
  3. 電池保護(hù)電路,用于防止過流或短路。
  4. 數(shù)據(jù)通信線路保護(hù)與切換。
  5. 便攜式電子產(chǎn)品,例如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦。
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與傳輸。
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的低壓邏輯兼容開關(guān)。

替代型號

NTD4905N, PSMN012-30PL, BSS138

ntd4810n-1g推薦供應(yīng)商 更多>

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  • 封裝/批號
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ntd4810n-1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 30A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 12V
  • 功率 - 最大1.28W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝I-Pak
  • 包裝管件