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NTH4L040N65S3F 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 18:44:52 查看 閱讀�34

NTH4L040N65S3F 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductor)生�(chǎn)� N 沯道 MOSFET。該器件采用了先�(jìn)� Trench 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。其額定電壓� 650V,額定電流為 40A,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器等�(lǐng)域�
  這款 MOSFET 具有出色的熱性能和電氣特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。此外,它還具備�(qiáng)大的雪崩能力,增�(qiáng)了在過壓條件下的可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
  柵極電荷(典型值)�18nC
  反向恢復(fù)時間�9ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-220

特�

NTH4L040N65S3F 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,這使得它非常適合高頻�(yīng)用環(huán)�。此外,它的雪崩能力較強(qiáng),可以承受一定的瞬態(tài)過壓事件,從而提高了系統(tǒng)的魯棒��
  該器件的�(dǎo)通電阻在典型條件下僅� 150mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損�。同�,其柵極電荷較低,減少了�(qū)動功率需�,�(jìn)一步提升了整體效率�
  由于采用� TO-220 封裝,NTH4L040N65S3F 提供了良好的散熱性能,使其能夠在高功率密度的�(yīng)用中�(wěn)定運(yùn)�。另�,寬泛的工作溫度范圍使它能夠適應(yīng)多種惡劣�(huán)境�

�(yīng)�

NTH4L040N65S3F 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高可靠性的�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  - 開關(guān)電源(SMPS�
  - 直流/直流�(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)�(qū)動電�
  - 太陽能逆變�
  - 工業(yè)控制
  - 電動工具
  憑借其高頻特性和低損�,該器件成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

NTH4L040N65S3
  NTH4L040N65S3L
  IRFP460
  FDP18N65C3

nth4l040n65s3f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nth4l040n65s3f參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�340�(xiàn)�
  • 價格1 : �87.53000管件1 : �140.55000管件
  • 系列FRFET?, SuperFET? III
  • 包裝管件管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�(jì)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)65A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)40 毫歐 @ 32.5A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5V @ 2.1mA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)158 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)5940 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)446W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247-4L
  • 封裝/外殼TO-247-4