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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTHD3100CT1G

NTHD3100CT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 10:56:04 查看 閱讀�616

描述�20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�80

最大漏極電流Id(on)(A)�3.900

通道極性:N/P溝道

封裝/溫度(�):ChipFET /-55~150


資料

廠商
ON Semiconductor

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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nthd3100ct1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.9A�3.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 2.9A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds165pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�(xiàn)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTHD3100CT1GOSTR