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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTHD4P02FT1G

NTHD4P02FT1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 8:59:05 查看 閱讀�27

NTHD4P02FT1G 是一款基于硅技�(shù)� N 溝道增強型場效應(yīng)晶體� (MOSFET),專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用 TO-263 封裝,適用于功率�(zhuǎn)換、電機驅(qū)動以及負載切換等場景�
  其低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其在高效能電源管理領(lǐng)域表�(xiàn)出色,同時封裝形式便于散熱和集成到各種電子系�(tǒng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�5.9A
  �(dǎo)通電阻:17mΩ
  柵極電荷�8nC
  總電容:430pF
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

NTHD4P02FT1G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效減少傳導(dǎo)損�,提高效��
  2. 快速的開關(guān)速度,使得它非常適合高頻�(yīng)用環(huán)境�
  3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的可靠性�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  5. 封裝堅固耐用,適合高密度組裝及長期穩(wěn)定運��
  6. �(nèi)部優(yōu)化設(shè)計降低了寄生電感與電容影�,進一步提升了整體性能�

�(yīng)�

� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的負載控��
  4. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動電路�
  5. 通信�(shè)備中的信號切��
  6. 各類消費電子�(chǎn)品中的保護電路和功率管理模塊�

替代型號

NTHD4P02FT1GA, IRFZ44N, FDN340P

nthd4p02ft1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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nthd4p02ft1g�(chǎn)�

nthd4p02ft1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點二極管(隔離式)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C155 毫歐 @ 2.2A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds300pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTHD4P02FT1G-NDNTHD4P02FT1GOSTR