NTHD4P02FT1G 是一款基于硅技�(shù)� N 溝道增強型場效應(yīng)晶體� (MOSFET),專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用 TO-263 封裝,適用于功率�(zhuǎn)換、電機驅(qū)動以及負載切換等場景�
其低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其在高效能電源管理領(lǐng)域表�(xiàn)出色,同時封裝形式便于散熱和集成到各種電子系�(tǒng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.9A
�(dǎo)通電阻:17mΩ
柵極電荷�8nC
總電容:430pF
工作溫度范圍�-55� to 150�
NTHD4P02FT1G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效減少傳導(dǎo)損�,提高效��
2. 快速的開關(guān)速度,使得它非常適合高頻�(yīng)用環(huán)境�
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的可靠性�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
5. 封裝堅固耐用,適合高密度組裝及長期穩(wěn)定運��
6. �(nèi)部優(yōu)化設(shè)計降低了寄生電感與電容影�,進一步提升了整體性能�
� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的負載控��
4. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動電路�
5. 通信�(shè)備中的信號切��
6. 各類消費電子�(chǎn)品中的保護電路和功率管理模塊�
NTHD4P02FT1GA, IRFZ44N, FDN340P