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NTJD5121NT2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/17 10:45:43 查看 閱讀�402

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

家庭:MOSFETs - 陣列

FET 型:2 �(gè) N 溝道(雙�

FET 特點(diǎn):邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.6 歐姆 @ 500mA, 10V

漏極至源極電�(Vdss)�60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�295mA

Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250?A

閘電�(Qg) @ Vgs�0.9nC @ 4.5V

� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �26pF @ 20V

功率 - 最大:250mW

安裝類型:表面貼�

封裝/外殼:SC-70-6,SC-88,SOT-363

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363

資料

廠商
ON Semiconductor

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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ntjd5121nt2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C295mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.9nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds26pF @ 20V
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)