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NTLUD3191PZTBG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/11/6 17:44:23 查看 閱讀：206

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號(hào)

目錄

概述

制造商：ONSemiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET小信號(hào)
RoHS：是
配置：Dual
晶體管極性：DualP-Channel
電阻汲極/源極RDS（導(dǎo)通）：410mOhms
正向跨導(dǎo)gFS（最大值/最小值）：1.4S
汲極/源極擊穿電壓：-20V
閘/源擊穿電壓：+/-8V
漏極連續(xù)電流：-1.1A
功率耗散：0.5W
最大工作溫度：+150℃
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝/箱體：UDFN-6
封裝：Reel
最小工作溫度：-55℃

ntlud3191pztbg推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntlud3191pztbg參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個(gè) P 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.1A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 1.5A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs3.5nc @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds160pF @ 10V
  • 功率 - 最大500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-UFDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝6-UDFN（1.6x1.6）
  • 包裝帶卷 (TR)