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NTMD2P01R2 發(fā)布時間 時間�2023/11/22 17:16:38 查看 閱讀�450

類別:分離式半導體產�

目錄

概述

類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:2 � P 溝道(雙�
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�100 毫歐 @ 2.4A, 4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�16V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.3A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�1.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�18nC @ 4.5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �750pF @ 16V
功率 - 最大:710mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)
供應商設備封裝:8-SOIC (窄型)
其它名稱:NTMD2P01R2OS

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ntmd2p01r2參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)16V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 2.4A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds750pF @ 16V
  • 功率 - 最�710mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTMD2P01R2OS