NTMFS0D55N03CGT1G是一款來自安森美(ON Semiconductor)的N溝道增強型場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,適合用于高效能電源管�、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等應(yīng)�。其封裝形式為TO-263(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能和可靠性�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)�,尤其是在需要高性能功率�(zhuǎn)換和開關(guān)操作的應(yīng)用場景中�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�49A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷(典型值)�17nC
總功耗:250W
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
封裝類型:TO-263(DPAK�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高額定電流能�,適用于大功率應(yīng)用�
3. 快速開�(guān)性能,降低開�(guān)損��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)可靠運行�
5. 小巧且高效的TO-263封裝,便于PCB布局與散熱設(shè)��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動�
4. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的負載控制�
5. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
6. 各種保護電路,如過流保護和短路保護�
NTMFS0D55N03CGT1
NTMFS0D55N03C
FDP55N03L
IRLR7843PBF