類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�5.5 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�9.5A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�19.5nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �2354pF @ 12V
功率 - 最大:870mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�5-DFN, SO8 FL
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SO-8