NTMFS4C324NT1G 是一� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,廣泛應用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載切換等場景�
這款 MOSFET 的設計目標是提供低導通電阻和快速開�(guān)特性,以提高效率并降低功�。其額定電壓� 30V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具有較低的導通電�,從而減少能量損耗�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�58A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�39nC
總電容:325pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � 150�
NTMFS4C324NT1G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在 4.5V 柵極�(qū)動下僅為 4.5mΩ,有助于降低傳導損耗�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應��
3. 高瞬�(tài)熱阻抗能�,確保長時間�(wěn)定運��
4. 較低的柵極電�,減少了�(qū)動電路的復雜性和功耗�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛封��
6. 提供卓越的雪崩能力和 ESD 保護,提高了器件的可靠��
NTMFS4C324NT1G 主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�(guān)�
3. 工業(yè)及汽車電子中的電機驅(qū)動控��
4. 電信設備中的高效功率�(zhuǎn)��
5. 各種需要高電流處理能力的應用場景,例如大功� LED �(qū)動器�
由于其出色的電氣特性和�(wěn)定�,該 MOSFET 成為許多高性能系統(tǒng)設計的理想選��
NTMFS4C324N, PTH017N30ZFG