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NTMS4503NR2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 18:14:36 查看 閱讀�28

NTMS4503NR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用 SuperFET II 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)效率的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于功率管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換等�(chǎng)�。其封裝形式� SOIC-8,適合表面貼裝工藝�
  SuperFET 技�(shù)使得 NTMS4503NR2G 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,同�(shí)�(yōu)化了熱特性和電氣特�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和緊湊�(shè)�(jì)的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�37A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.9mΩ
  柵極電荷(典型值)�48nC
  總功耗:2.6W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

NTMS4503NR2G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 37A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 先�(jìn)� SuperFET II 技�(shù)確保在高頻開�(guān)�(yīng)用中的卓越性能�
  4. 緊湊� SOIC-8 封裝節(jié)省了印刷電路板的空間�
  5. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于各種�(huán)境條件下的應(yīng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

NTMS4503NR2G 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配模塊�

替代型號(hào)

NTMS4502NR2G, FDP5500NL, IRL3103TRPBF

ntms4503nr2g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntms4503nr2g參數(shù)

  • 制造商ON Semiconductor
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓28 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流14 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.0088 Ohms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�23 ns
  • 正向跨導(dǎo) gFS(最大�/最小值)30 S
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升�(shí)�70 ns
  • 工廠包裝�(shù)�2500
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�21 ns