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NTR1P02LT3G 發(fā)布時間 時間:2023/4/14 11:58:01 查看 閱讀:523

分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:MOSFET,GaNFET - 單

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 特點:邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:220 毫歐 @ 750mA, 4.5V

漏極至源極電壓(Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:1.3A

Id 時的 Vgs(th)(最大):1.25V @ 250μA

閘電荷(Qg) @ Vgs:5.5nC @ 4V

在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :225pF @ 5V

功率 - 最大:400mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

包裝:帶卷 (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23

資料

廠商
ON Semiconductor

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ntr1p02lt3g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝10,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫歐 @ 750mA,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.25V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 4V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds225pF @ 5V
  • 功率 - 最大400mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTR1P02LT3G-NDNTR1P02LT3GOSTR