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NTS4001NT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 13:22:05 查看 閱讀�22

NTS4001NT1G 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET。它采用� SOT-23 封裝,適用于需要低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件具有較低的柵極電荷和�(dǎo)通電�,非常適合在功率管理、負(fù)載開�(guān)以及高頻開關(guān)電路中使��
  NTS4001NT1G 的設(shè)�(jì)使其能夠在高效率和低功耗的�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,并且支持較寬的工作電壓范圍�

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  連續(xù)漏極電流(Id):1.6A
  脈沖漏極電流(Id pulse):5.1A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.95Ω(在 Vgs=4.5V �(shí)�
  柵極電荷(Qg):2nC
  輸入電容(Ciss):10pF
  輸出電容(Coss):2.7pF
  工作�(jié)溫范圍(Tj):-55� � +150�

特�

NTS4001NT1G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠降低傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 快速開�(guān)能力,得益于其低柵極電荷 Qg 和小型封裝�
  3. 支持高達(dá) 30V 的漏源電�,適用于多種低壓�(yīng)��
  4. 采用�(biāo)�(zhǔn)的小� SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  5. 可靠性高,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  6. 適合邏輯電平�(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)過程�
  這些特性使得該器件成為便攜式電子設(shè)�、通信系統(tǒng)以及其他�(duì)效率和空間要求較高的�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

NTS4001NT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和其他便攜式電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  2. 開關(guān)電源� DC/DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  3. 電池供電�(shè)備中的保�(hù)電路�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和音頻設(shè)備中的功率級(jí)控制�
  5. �(shù)�(jù)通信接口中的信號(hào)切換�
  6. 高頻放大器和振蕩器中的開�(guān)元件�
  由于其高效的性能和緊湊的封裝,NTS4001NT1G 成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(guān)鍵組��

替代型號(hào)

NTS4002NT1G, BSS138, AO3400A

nts4001nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nts4001nt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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nts4001nt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C270mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 歐姆 @ 10mA�4V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.3nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds33pF @ 5V
  • 功率 - 最�330mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-70-3(SOT323�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTS4001NT1GOSNTS4001NT1GOS-NDNTS4001NT1GOSTR