NUF6105FCT1G 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。這種器件適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動以及負(fù)載開�(guān)�。該器件封裝形式� TO-277A(PDFN5x6�,具備良好的散熱特性和小型化設(shè)計,適合對空間有限制的設(shè)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):8mΩ
柵極閾值電壓:2V~4V
工作�(jié)溫范圍:-55℃~175�
總功耗:3.9W
封裝類型:TO-277A(PDFN5x6�
NUF6105FCT1G 具有非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
其高開關(guān)速度和快速瞬�(tài)響應(yīng)使得該器件非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
此外,該 MOSFET 的高工作�(jié)溫范� (-55� � +175�) 確保了在極端溫度條件下的可靠��
由于采用� PDFN5x6 封裝,這款 MOSFET 提供了卓越的熱性能,同時保持了緊湊的尺�,有助于實現(xiàn)更小� PCB 占位面積�
該器件還具備�(yōu)秀的抗雪崩能力和靜電防護性能,提高了整體系統(tǒng)的穩(wěn)健��
NUF6105FCT1G 廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和汽車領(lǐng)域中的多種電��
典型�(yīng)用場景包括但不限于:筆記本電腦適配器、手機充電器、LED �(qū)動器、電機控制器、電池管理系�(tǒng) (BMS) � DC-DC �(zhuǎn)換模��
它的高性能和小型化�(shè)計使其成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的功率開�(guān)組件�
NUD6105FCT1G
STP55NF06L
IRLB8748PBF