NUF8410MNT4G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,專為高頻和高效率應用設�。該器件采用了先進的 GaN 工藝,具備低導通電阻、快速開關特性和高耐壓能力,適用于電源管理、DC-DC 轉換�、無線充電以及消費類電子產品的各種應用場景�
其封裝形式為超小型芯片級封裝(CSP),有助于減少寄生電感并提高整體系統性能�
類型:增強型功率晶體�
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電� (Vds)�100 V
最大柵極驅動電� (Vgs)�6 V
導通電� (Rds(on))�55 mΩ
連續(xù)漏極電流 (Id)�4 A
輸出電容 (Coss)�22 pF
開關頻率范圍:高� 10 MHz
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
NUF8410MNT4G 具備以下主要特性:
1. 極低的導通電�,可顯著降低傳導損�,從而提升整體效率�
2. 快速開關速度,支持高� 10 MHz 的工作頻�,適合高頻應��
3. 小型 CSP 封裝,能夠有效減少寄生電感和寄生電容,進一步優(yōu)化高頻表��
4. 內置保護功能,如過流保護和短路保�,提高了系統的可靠性和安全��
5. 高擊穿電壓和�(wěn)定的動態(tài)性能,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
6. 與傳統硅 MOSFET 相比,提供更高的功率密度和更低的能量損耗�
NUF8410MNT4G 廣泛應用于以下領域:
1. 消費類電子產品中的高� DC-DC 轉換��
2. 快速充電器和適配器的設計,以實現更小體積和更高效率�
3. 無線充電系統,支持更高的能量傳輸效率�
4. 電信和網絡設備中的電源模��
5. 電機驅動� LED 驅動電路�
6. 工業(yè)自動化和物聯網設備中的電源管理系��
7. 其他需要高頻和高效率的功率轉換場合�
NUF8408MNT4G, NUF8415MNT4G