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NV1808B102K302CEKN 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/6 18:45:11 查看 閱讀:11

NV1808B102K302CEKN 是一款由 Nexperia 生產(chǎn)的高壓 MOSFET 芯片,屬于 P 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該芯片采用 DPAK (TO-252) 封裝形式,適用于多種高效率開關(guān)電源、負(fù)載切換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。
  這款器件以其低導(dǎo)通電阻和高電壓耐受能力而著稱,可顯著降低能耗并提高系統(tǒng)可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:-10A
  柵源電壓范圍:-10V 至 0V
  導(dǎo)通電阻(典型值):15mΩ
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

NV1808B102K302CEKN 的主要特點(diǎn)是其卓越的電氣性能與封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化:
  1. 高擊穿電壓允許它在苛刻的高壓環(huán)境中運(yùn)行,同時(shí)保證穩(wěn)定的性能輸出。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,從而提高了整體效率,并且降低了發(fā)熱。
  3. 它具備快速開關(guān)速度,能夠減少開關(guān)損耗,在高頻應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
  4. 工作溫度范圍寬廣,從極端寒冷到高溫環(huán)境均可正常工作,確保了器件在各種條件下的穩(wěn)定性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且支持現(xiàn)代綠色制造理念。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),例如適配器和充電器中的同步整流電路。
  2. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保護(hù)電池組免受過(guò)充或過(guò)放的影響。
  3. 固態(tài)繼電器和負(fù)載開關(guān),以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同負(fù)載的精確控制。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器電路,提供高效的功率傳遞和控制功能。
  5. LED 驅(qū)動(dòng)器,用于調(diào)節(jié)電流以保持 LED 照明系統(tǒng)的亮度一致性。

替代型號(hào)

IRF9530NPBF
  BSS84L
  SI2313DS
  FDC650P

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