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NVB6411ANT4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 15:22:34 查看 閱讀:30

NVB6411ANT4G是一款由Nexperia(原恩智浦半導(dǎo)體旗下標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部門(mén))生產(chǎn)的高壓MOSFET晶體管,采用小型化的LFPAK56E封裝形式。該器件專(zhuān)為汽車(chē)電子應(yīng)用而設(shè)計(jì),能夠承受高電壓和電流沖擊,同時(shí)具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性。NVB6411ANT4G屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:-49A
  導(dǎo)通電阻:3.8mΩ
  柵極電荷:27nC
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=18ns, toff=14ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
  封裝形式:LFPAK56E

特性

NVB6411ANT4G具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。其大電流承載能力使其非常適合于需要高性能開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。此外,該器件還具有快速開(kāi)關(guān)速度,從而減少開(kāi)關(guān)損耗。由于采用了LFPAK56E封裝,NVB6411ANT4G具備較低的熱阻和優(yōu)異的散熱性能,確保在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
  另外,該MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車(chē)級(jí)應(yīng)用,提供更高的穩(wěn)定性和耐用性。整體上,NVB6411ANT4G憑借其卓越的電氣特性和可靠性,成為現(xiàn)代汽車(chē)電子系統(tǒng)中的理想選擇。

應(yīng)用

NVB6411ANT4G主要用于汽車(chē)電子領(lǐng)域,包括但不限于以下具體應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 負(fù)載開(kāi)關(guān)控制,用于管理各類(lèi)車(chē)載設(shè)備的電源供應(yīng);
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié);
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),保護(hù)電池組免受過(guò)流或短路的影響;
  4. 汽車(chē)照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路;
  5. 各類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和繼電器替代方案。

替代型號(hào)

NVB6411AT4G

nvb6411ant4g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

nvb6411ant4g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)100 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)77A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)14 毫歐 @ 72A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)100 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3700 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)217W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝D2PAK
  • 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB