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NVB6411ANT4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/29 15:22:34 查看 閱讀：30

NVB6411ANT4G是一款由Nexperia（原恩智浦半導(dǎo)體旗下標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部門(mén)）生產(chǎn)的高壓MOSFET晶體管，采用小型化的LFPAK56E封裝形式。該器件專(zhuān)為汽車(chē)電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)，能夠承受高電壓和電流沖擊，同時(shí)具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性。NVB6411ANT4G屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET，廣泛應(yīng)用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：-49A
　　導(dǎo)通電阻：3.8mΩ
　　柵極電荷：27nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=18ns, toff=14ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
　　封裝形式：LFPAK56E

特性

NVB6411ANT4G具有低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。其大電流承載能力使其非常適合于需要高性能開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。此外，該器件還具有快速開(kāi)關(guān)速度，從而減少開(kāi)關(guān)損耗。由于采用了LFPAK56E封裝，NVB6411ANT4G具備較低的熱阻和優(yōu)異的散熱性能，確保在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
　　另外，該MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車(chē)級(jí)應(yīng)用，提供更高的穩(wěn)定性和耐用性。整體上，NVB6411ANT4G憑借其卓越的電氣特性和可靠性，成為現(xiàn)代汽車(chē)電子系統(tǒng)中的理想選擇。

應(yīng)用

NVB6411ANT4G主要用于汽車(chē)電子領(lǐng)域，包括但不限于以下具體應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 負(fù)載開(kāi)關(guān)控制，用于管理各類(lèi)車(chē)載設(shè)備的電源供應(yīng)；
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)；
　　3. 電池管理系統(tǒng)（BMS），保護(hù)電池組免受過(guò)流或短路的影響；
　　4. 汽車(chē)照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路；
　　5. 各類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和繼電器替代方案。

替代型號(hào)

NVB6411AT4G

nvb6411ant4g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

nvb6411ant4g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）100 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)77A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）14 毫歐 @ 72A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）100 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）3700 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）217W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝D2PAK
  • 封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB