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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NVMFS5C410NLAFT1G

NVMFS5C410NLAFT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 9:39:57 查看 閱讀�24

NVMFS5C410NLAFT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高效能 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)用�
  其封裝形式為 LFPAK56D(也稱為 D2PAK-7�,具備卓越的散熱特性和緊湊尺寸,非常適合對空間敏感的設(shè)�。NVMFS5C410NLAFT1G 通常被用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管�、電�(jī)�(qū)動和其他需要高性能功率開關(guān)的場��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�85A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�56nC
  總電容:1950pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

NVMFS5C410NLAFT1G 具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保在高電流條件下實�(xiàn)更低的功耗和更高的效��
  2. 高額定電流能力使其能夠適�(yīng)大功率應(yīng)用場景�
  3. 快速開�(guān)速度�(yōu)化了動態(tài)性能,并降低了開�(guān)損耗�
  4. 耐熱增強(qiáng)� LFPAK56D 封裝提升了散熱表�(xiàn)并簡化了 PCB 布局�(shè)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要��
  6. 工作溫度范圍寬廣,適合惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

該芯片適用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�(yīng)��
  2. 電動車輛(EV/HEV)內(nèi)的電池管理系�(tǒng)與電�(jī)�(qū)動控��
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊�
  5. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率分配網(wǎng)�(luò)�
  6. 大功� LED �(qū)動及其它類似�(yīng)��

替代型號

NVMFS5C408NLAT1G, IRF7778TRPBF, FDP15N10AE

nvmfs5c410nlaft1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nvmfs5c410nlaft1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格1 : �32.67000剪切帶(CT�1,500 : �17.25759卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)50A(Ta��330A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)0.82 毫歐 @ 50A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)143 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)8862 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.8W(Ta��167W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�5-DFN�5x6)(8-SOFL�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN�5 引線