NVMFS5C682NLT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的高性能 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,提供卓越的導(dǎo)通電阻性能和低柵極電荷,使其非常適合用于需要高效開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)合�
� MOSFET 的封裝形式為 LFPAK56D,是一種小型化、表面貼裝的功率封裝,能夠滿足緊湊設(shè)�(jì)的需�,同�(shí)具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�49nC
總電容:1230pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
NVMFS5C682NLT1G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,可支持大電流應(yīng)用�
3. 小型化的 LFPAK56D 封裝,節(jié)� PCB 空間�
4. �(yōu)秀的熱性能,確保在高功率密度下的穩(wěn)定��
5. 快速開�(guān)特�,適合高頻操作環(huán)��
6. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛的工作條件�
NVMFS5C682NLT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管��
3. 電動(dòng)工具和家用電器的功率�(zhuǎn)換模塊�
4. DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器中的關(guān)鍵組��
5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)和牽引逆變��
6. 不間斷電源(UPS)和其他高可靠性電源解決方案�
NVMFS5C682NL, NVMFS5C682NLT