OSG60R092H 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提升電源�(zhuǎn)換效��
這款器件廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電機驅(qū)動等�(lǐng)�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求�
型號:OSG60R092H
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):92A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型��25°C�
柵極電荷(Qg):45nC(典型值)
開關(guān)時間:ton=13ns,toff=18ns(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
OSG60R092H 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操�,適合于高效率開�(guān)電源�(shè)��
3. 高電流承載能�,使其能夠勝任大功率�(yīng)��
4. 強大的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
這些特點� OSG60R092H 成為需要高性能功率管理解決方案的理想選��
OSG60R092H 的典型應(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電動車輛和工�(yè)電機�(qū)動中的逆變器模��
3. 太陽能微逆變器和能量存儲系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)��
4. 電信和服�(wù)器電源中的同步整流�
5. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器及負載點(POL)轉(zhuǎn)��
其優(yōu)異的性能和可靠性使得它在多個行�(yè)中都有廣泛應(yīng)用�
OSG60R100H
IRFZ44N
STP90NF06L