GA1206A1R8DBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而有效提升了系統(tǒng)的效率和可靠��
該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,支持高頻率工作,適用于對效率和熱性能要求較高的應(yīng)用場景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�95nC
輸入電容�4150pF
總電荷:135nC
反向恢復(fù)時間�80ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
GA1206A1R8DBBBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,能夠支持高頻應(yīng)用�
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,可減少開關(guān)損耗�
4. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用環(huán)��
5. �(qiáng)大的散熱性能,確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
6. 具備良好的雪崩能力和 ESD 防護(hù)性能,增�(qiáng)了器件的可靠性和耐用��
7. 小尺寸封�,便� PCB 布局和系�(tǒng)集成�
這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換�
4. DC-DC �(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的各種功率�(zhuǎn)換模��
由于其出色的性能和可靠�,該芯片特別適合需要高效功率管理的�(yīng)用場景�
GA1206A1R8DBBCT31G, IRF2807ZPBF, FDP158N06L