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GA1206A1R8DBBBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 19:05:45 查看 閱讀�26

GA1206A1R8DBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而有效提升了系統(tǒng)的效率和可靠��
  該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,支持高頻率工作,適用于對效率和熱性能要求較高的應(yīng)用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�95nC
  輸入電容�4150pF
  總電荷:135nC
  反向恢復(fù)時間�80ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

GA1206A1R8DBBBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,能夠支持高頻應(yīng)用�
  3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,可減少開關(guān)損耗�
  4. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用環(huán)��
  5. �(qiáng)大的散熱性能,確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
  6. 具備良好的雪崩能力和 ESD 防護(hù)性能,增�(qiáng)了器件的可靠性和耐用��
  7. 小尺寸封�,便� PCB 布局和系�(tǒng)集成�

�(yīng)�

這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管�
  2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換�
  4. DC-DC �(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)�
  5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的各種功率�(zhuǎn)換模��
  由于其出色的性能和可靠�,該芯片特別適合需要高效功率管理的�(yīng)用場景�

替代型號

GA1206A1R8DBBCT31G, IRF2807ZPBF, FDP158N06L

ga1206a1r8dbbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-