P62BN820MA2636 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,通常用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其封裝形式為 TO-263(DPAK),便于散熱設(shè)計(jì)與 PCB 布局優(yōu)化。此外,它還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于需要高效能與穩(wěn)定性的工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
最大漏源電壓:820V
連續(xù)漏極電流:6.9A
導(dǎo)通電阻:4.5Ω
柵極電荷:45nC
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
封裝形式:TO-263
P62BN820MA2636 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:支持高達(dá) 820V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的各種應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 4.5Ω,可顯著減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
3. 快速開關(guān)性能:較小的柵極電荷使得器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān),從而降低開關(guān)損耗。
4. 強(qiáng)大的電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá) 6.9A,滿足大功率應(yīng)用需求。
5. 寬廣的工作溫度范圍:從 -55℃ 到 175℃,適應(yīng)各種極端條件下的使用。
6. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,確保長(zhǎng)期運(yùn)行中的穩(wěn)定性與耐用性。
P62BN820MA2636 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):包括適配器、充電器以及工業(yè)用開關(guān)電源等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):如家用電器中的風(fēng)扇、泵浦電機(jī)等。
3. 負(fù)載開關(guān):在汽車電子和通信設(shè)備中用作高效的負(fù)載切換。
4. 逆變器:光伏逆變器和其他類型的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
5. 過流保護(hù)電路:利用其快速響應(yīng)特性實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的過流保護(hù)功能。
IRF820, STW820N85, FDP820