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P62BN820MA2636 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 12:59:07 查看 閱讀:22

P62BN820MA2636 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,通常用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其封裝形式為 TO-263(DPAK),便于散熱設(shè)計(jì)與 PCB 布局優(yōu)化。此外,它還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于需要高效能與穩(wěn)定性的工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

參數(shù)

最大漏源電壓:820V
  連續(xù)漏極電流:6.9A
  導(dǎo)通電阻:4.5Ω
  柵極電荷:45nC
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
  封裝形式:TO-263

特性

P62BN820MA2636 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力:支持高達(dá) 820V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的各種應(yīng)用場(chǎng)景。
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 4.5Ω,可顯著減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
  3. 快速開關(guān)性能:較小的柵極電荷使得器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān),從而降低開關(guān)損耗。
  4. 強(qiáng)大的電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá) 6.9A,滿足大功率應(yīng)用需求。
  5. 寬廣的工作溫度范圍:從 -55℃ 到 175℃,適應(yīng)各種極端條件下的使用。
  6. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,確保長(zhǎng)期運(yùn)行中的穩(wěn)定性與耐用性。

應(yīng)用

P62BN820MA2636 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):包括適配器、充電器以及工業(yè)用開關(guān)電源等。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):如家用電器中的風(fēng)扇、泵浦電機(jī)等。
  3. 負(fù)載開關(guān):在汽車電子和通信設(shè)備中用作高效的負(fù)載切換。
  4. 逆變器:光伏逆變器和其他類型的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
  5. 過流保護(hù)電路:利用其快速響應(yīng)特性實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的過流保護(hù)功能。

替代型號(hào)

IRF820, STW820N85, FDP820

p62bn820ma2636推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

p62bn820ma2636參數(shù)

  • 制造商Dielectric Laboratories
  • 電容0.1 uF
  • 容差15 %
  • 電壓額定值25 Volts
  • 溫度系數(shù)/代碼X7R
  • 外殼代碼 - in0603
  • 外殼代碼 - mm1608
  • 工作溫度范圍- 55 C to + 125 C
  • 產(chǎn)品Low Inductance MLCCs
  • Capacitance - nF100 nF
  • Capacitance - pF100000 pF
  • 尺寸0.054 in W x 0.067 in L x 0.031 in H
  • 封裝 / 箱體0603 (1608 metric)
  • 端接類型SMD/SMT