PBSS5250X 是一� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件以其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度而著�(chēng),廣泛應(yīng)用于功率管理、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。其封裝形式通常� SOT-23 或更小型化的表面貼裝封裝,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)使其能夠承受較高的漏源電�,并且具備較低的柵極電荷特�,從而提高了效率并降低了�(kāi)�(guān)損耗�
最大漏源電�(V_DS)�30V
連續(xù)漏極電流(I_D)�4.8A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�45mΩ
柵極閾值電�(V_GS(th))�1.6V
總柵極電�(Q_g)�4nC
功�(PD)�950mW
工作溫度范圍(T_A)�-55°C � +150°C
PBSS5250X 具有非常低的�(dǎo)通電� (R_DS(on)),在典型的工作條件下可有效降低傳�(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
其邏輯電平驅(qū)�(dòng)能力使該器件能夠在較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓下實(shí)�(xiàn)完全�(kāi)啟狀�(tài),例如在 3.3V � 5V 系統(tǒng)中表�(xiàn)尤為出色�
此外,PBSS5250X 提供了快速的�(kāi)�(guān)性能,這得益于其較小的柵極電荷和輸入電容。這一特點(diǎn)使得它非常適合高頻應(yīng)��
由于采用了緊湊型封裝,此器件� PCB 布局方面提供了靈活�,并減少了整體解決方案的尺寸�
最�,其高雪崩擊穿能力和�(jiān)固的 ESD 保護(hù)�(jìn)一步增�(qiáng)了其可靠性,確保在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
PBSS5250X 廣泛用于需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路�
2. 便攜式電子設(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器和降壓穩(wěn)壓器�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和繼電器控制電路�
4. 固態(tài)繼電器和信號(hào)切換�
5. 多種工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電源管理和配電模塊�
AO3400
IRLML6401
FDMQ8207