PEB2055N是一種高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能��
PEB2055N屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適合高頻開�(guān)�(yīng)用以及需要高電流承載能力的場(chǎng)景。其封裝形式通常為TO-220,便于散熱設(shè)�(jì)和安��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�43A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�75nC
開關(guān)�(shí)間:ton=80ns, toff=31ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為3.5mΩ,可有效減少傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)速度,有助于提升開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性�
4. 柵極閾值電壓經(jīng)�(guò)�(yōu)�,確保了良好的驅(qū)�(dòng)兼容性和�(wěn)定性�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求�
6. 封裝具備�(yōu)良的熱性能,適合高功率密度�(yīng)用�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
2. 直流�(wú)刷電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)中的功率�(jí)開關(guān)�
3. �(fù)載切換和保護(hù)電路中的電子開關(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)解決方案�
6. 各類電池充電器和適配器中的功率調(diào)節(jié)組件�
IRFZ44N, FDP5800, STP120NF06L