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PEB2055N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 19:53:45 查看 閱讀:28

PEB2055N是一種高性能的MOSFET功率晶體管,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
  PEB2055N屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適合高頻開關(guān)應(yīng)用以及需要高電流承載能力的場(chǎng)景。其封裝形式通常為TO-220,便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:43A
  導(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷:75nC
  開關(guān)時(shí)間:ton=80ns, toff=31ns
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為3.5mΩ,可有效減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 快速開關(guān)速度,有助于提升開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率。
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
  4. 柵極閾值電壓經(jīng)過(guò)優(yōu)化,確保了良好的驅(qū)動(dòng)兼容性和穩(wěn)定性。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求。
  6. 封裝具備優(yōu)良的熱性能,適合高功率密度應(yīng)用。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
  2. 直流無(wú)刷電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)開關(guān)。
  3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路中的電子開關(guān)。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案。
  6. 各類電池充電器和適配器中的功率調(diào)節(jié)組件。

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5800, STP120NF06L

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