PEB2055N 時(shí)間：2025/5/12 19:53:45 閱讀：28

PEB2055N是一種高性能的MOSFET功率晶體管，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
　　PEB2055N屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，適合高頻開關(guān)應(yīng)用以及需要高電流承載能力的場(chǎng)景。其封裝形式通常為TO-220，便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：43A
　　導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　開關(guān)時(shí)間：ton=80ns, toff=31ns
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

特性

1. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在典型條件下僅為3.5mΩ，可有效減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開關(guān)速度，有助于提升開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
　　4. 柵極閾值電壓經(jīng)過(guò)優(yōu)化，確保了良好的驅(qū)動(dòng)兼容性和穩(wěn)定性。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求。
　　6. 封裝具備優(yōu)良的熱性能，適合高功率密度應(yīng)用。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)或同步整流元件。
　　2. 直流無(wú)刷電機(jī)（BLDC）驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)開關(guān)。
　　3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路中的電子開關(guān)。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案。
　　6. 各類電池充電器和適配器中的功率調(diào)節(jié)組件。