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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > PEB2075N

PEB2075N 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 10:38:26 查看 閱讀�23

PEB2075N是一款基于硅技術的高壓功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等場景。該器件采用N溝道增強型設計,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�。其封裝形式為TO-220,便于散熱和集成到各種電路中�
  PEB2075N的主要特點是能夠承受高電壓,同時提供快速的開關性能,從而降低功耗并提升系統(tǒng)效率。此�,它還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于需要長期運行的工業(yè)及消費類電子產品�

參數

最大漏源電壓:750V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  導通電阻:4.5Ω
  柵極電荷�15nC
  開關速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220

特�

1. 高耐壓能力,適合高壓應用環(huán)��
  2. 較低的導通電阻,減少導通損��
  3. 快速開關特�,支持高頻操��
  4. �(yōu)異的熱性能,確保長時間�(wěn)定運��
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
  6. 可靠性高,適合工�(yè)級應用需��
  7. 封裝形式堅固耐用,易于安裝與維護�

應用

1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
  2. DC-DC轉換器的核心組件�
  3. 各類電機驅動電路�
  4. 能量管理模塊中的負載切換�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控��
  6. 消費電子產品的適配器與充電器�
  7. 照明系統(tǒng)的調光與驅動電路�

替代型號

IRFP250N, STP20NF75, FQP18N75

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