PEB2075N是一款基于硅技術的高壓功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等場景。該器件采用N溝道增強型設計,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�。其封裝形式為TO-220,便于散熱和集成到各種電路中�
PEB2075N的主要特點是能夠承受高電壓,同時提供快速的開關性能,從而降低功耗并提升系統(tǒng)效率。此�,它還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于需要長期運行的工業(yè)及消費類電子產品�
最大漏源電壓:750V
連續(xù)漏極電流�2.6A
導通電阻:4.5Ω
柵極電荷�15nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
1. 高耐壓能力,適合高壓應用環(huán)��
2. 較低的導通電阻,減少導通損��
3. 快速開關特�,支持高頻操��
4. �(yōu)異的熱性能,確保長時間�(wěn)定運��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
6. 可靠性高,適合工�(yè)級應用需��
7. 封裝形式堅固耐用,易于安裝與維護�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
2. DC-DC轉換器的核心組件�
3. 各類電機驅動電路�
4. 能量管理模塊中的負載切換�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控��
6. 消費電子產品的適配器與充電器�
7. 照明系統(tǒng)的調光與驅動電路�
IRFP250N, STP20NF75, FQP18N75