PHB45NQ15T是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用TO-263封裝形式。該器件適用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合于DC-DC�(zhuǎn)換器、電源適配器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)�。其額定電壓�650V,能夠滿足大多數(shù)高壓�(yīng)用的需��
這款MOSFET的典型特�(diǎn)是優(yōu)化了柵極電荷,從而降低了�(kāi)�(guān)損�,同�(shí)具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性。它的設(shè)�(jì)旨在提高效率并減少系�(tǒng)尺寸,非常適合高密度功率�(zhuǎn)換解決方案�
類型:N溝道增強(qiáng)�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):550mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg):30nC(典型值)
輸入電容(Ciss):1980pF(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間(Trr):75ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-263
PHB45NQ15T的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓(650V�,適用于高壓�(yīng)用環(huán)境�
2. 低導(dǎo)通電阻(550mΩ�,有效降低導(dǎo)通損耗�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,具有較低的柵極電荷和反向恢�(fù)�(shí)�,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下工��
5. 小型化封裝(TO-263),便于布局�(shè)�(jì)并節(jié)省PCB空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工��
這些特點(diǎn)使該器件在功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制�(lǐng)域表�(xiàn)出色,特別適合需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景�
PHB45NQ15T廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. LED照明�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)器件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 充電器和適配器中的功率開(kāi)�(guān)元件�
由于其高電壓耐受能力和低�(dǎo)通電�,這款MOSFET非常適合于多種高�、高效能的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)��
IRF540N
STP10NK65Z
FDP15N65S
IXFN10N65T
AO3400