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PHP3N50E 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 13:38:26 查看 閱讀�18

PHP3N50E是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于N溝道增強型功率MOSFET。該器件廣泛應用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高電壓切換的應用場景中。PHP3N50E具有低導通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  其設計適用于多種工業(yè)和消費電子領域,憑借出色的耐用性和可靠�,成為許多工程師在設計高壓電路時的首選元器件�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�3.2A
  柵極-源極電壓(最大):�20V
  導通電阻(典型值)�1.9Ω
  總功耗:78W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

PHP3N50E的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:支持高�500V的漏源電�,使其非常適合高壓應用環(huán)��
  2. 低導通電阻:在高電流應用場景下減少功�,提高整體效率�
  3. 快速開�(guān)性能:具備短開關(guān)時間,從而降低開�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強:能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
  5. 小尺寸封裝:有助于節(jié)省PCB空間,簡化設計布局�
  6. 可靠性高:通過了嚴格的測試標準,確保長期使用中的耐用��

應用

PHP3N50E主要應用于以下領域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 逆變器電�
  3. 直流-直流�(zhuǎn)換器
  4. 電機�(qū)動與控制
  5. 工業(yè)自動化設�
  6. 消費類電子產(chǎn)品中的高壓控制部�
  7. 能量存儲系統(tǒng)及電池管理系�(tǒng)

替代型號

IRF540N
  STP3NB50
  FQP17N50

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