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PL13N06P 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 10:10:46 查看 閱讀：31

PL13N06P是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件主要用于開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用，能夠提供高效率和低導(dǎo)通電阻的性能。PL13N06P具有較低的導(dǎo)通電阻，使其在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，同時(shí)其封裝形式緊湊，適合需要節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：13A
　　導(dǎo)通電阻：45mΩ
　　柵極電荷：27nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：典型值ton=19ns，toff=84ns
　　工作溫度范圍：-55°C to +150°C

特性

PL13N06P具備低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
　　其高電流處理能力使其適用于多種功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。
　　該器件還具有快速開(kāi)關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　此外，PL13N06P采用了先進(jìn)的制造工藝，確保了良好的穩(wěn)定性和可靠性，能夠在極端溫度條件下正常運(yùn)行。
　　它支持表面貼裝技術(shù)（SMD），簡(jiǎn)化了PCB布局設(shè)計(jì)，并增強(qiáng)了散熱性能。

應(yīng)用

PL13N06P廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)、逆變器、電池保護(hù)電路等領(lǐng)域。
　　由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，非常適合用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理系統(tǒng)。
　　同時(shí)，在工業(yè)領(lǐng)域，這款MOSFET也可用作各種功率控制和保護(hù)電路的核心元件。

替代型號(hào)

IRLZ44N
　　AO3400
　　FDP16N06L

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