PL13N06P是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件主要用于�(kāi)�(guān)和功率管理應(yīng)�,能夠提供高效率和低�(dǎo)通電阻的性能。PL13N06P具有較低的導(dǎo)通電阻,使其在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,同�(shí)其封裝形式緊湊,適合需要節(jié)省空間的�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�13A
�(dǎo)通電阻:45mΩ
柵極電荷�27nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型值ton=19ns,toff=84ns
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
PL13N06P具備低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
其高電流處理能力使其適用于多種功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
該器件還具有快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
此外,PL13N06P采用了先�(jìn)的制造工�,確保了良好的穩(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常運(yùn)��
它支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,簡(jiǎn)化了PCB布局�(shè)�(jì),并增強(qiáng)了散熱性能�
PL13N06P廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)、逆變器、電池保�(hù)電路等領(lǐng)��
由于其高電流承載能力和低�(dǎo)通電阻,非常適合用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理系�(tǒng)�
同時(shí),在工業(yè)�(lǐng)域,這款MOSFET也可用作各種功率控制和保�(hù)電路的核心元��
IRLZ44N
AO3400
FDP16N06L