時間：2025/5/21 17:45:38
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PL50N03是一款N溝道增強型功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等場景。該器件具有低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）、高擊穿電壓（V(BR)DSS）和快速開關(guān)速度的特點，適合高效能要求的應(yīng)用環(huán)境。
這款MOSFET采用TO-252（DPAK）封裝形式，具備良好的散熱性能和電氣特性，同時其小型化設(shè)計也有助于節(jié)省電路板空間。
最大漏源電壓：40V
最大連續(xù)漏電流：38A
導(dǎo)通電阻（典型值）：5mΩ
柵極電荷：27nC
總電容（輸入電容）：1600pF
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
封裝形式：TO-252（DPAK）
PL50N03的顯著特點包括低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。此外，其快速開關(guān)速度降低了開關(guān)損耗，使得該器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
該MOSFET還具有較高的雪崩耐量能力，能夠在惡劣的工作條件下提供更高的可靠性。同時，它的小型化封裝形式使其適用于對空間有嚴(yán)格要求的設(shè)計。
另外，PL50N03支持較寬的工作溫度范圍，從-55℃到+150℃，確保了其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。
PL50N03適用于多種電力電子應(yīng)用，例如開關(guān)模式電源（SMPS）、降壓或升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理電路、電機驅(qū)動控制以及負(fù)載開關(guān)等場景。
由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，它特別適合需要大功率輸出的應(yīng)用場合，如工業(yè)設(shè)備、汽車電子和通信電源等領(lǐng)域。
IRFZ44N
STP50NF06
FDP55N06L
