PLMTA49ESDD3 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體�,廣泛應用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及射頻放大器等場�。該器件采用先進的GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)技�,具備出色的開關特性和低導通電�,從而實�(xiàn)更高的效率和功率密度�
這款芯片的設計特別注重在高頻工作條件下的性能表現(xiàn),能夠顯著降低開關損�,并支持快速的開關速度。此�,其封裝形式經過�(yōu)化,可有效提高散熱性能并簡化系�(tǒng)設計�
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電�(Vds)�600V
最大柵源電�(Vgs):�20V
導通電�(Rds(on))�45mΩ
最大漏極電�(Id)�18A
輸出電容(Coss)�70pF
開關頻率:最高支� 10MHz
封裝形式:TO-247-4L
PLMTA49ESDD3 具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),僅� 45mΩ,這有助于減少傳導損耗并提升整體效率�
2. 支持高達 600V 的漏源電�,適用于多種高壓應用場景�
3. 超快的開關速度使其適合高頻運行�(huán)�,最高可� 10MHz,極大降低了開關損��
4. 內部集成� ESD 保護電路提升了器件的可靠性和抗干擾能��
5. 采用 TO-247-4L 封裝,不僅提高了熱管理能�,還便于與現(xiàn)有系�(tǒng)的兼容��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該芯片適用于各種需要高效率和高頻工作的電力電子設備,具體包括:
1. 開關模式電源 (SMPS),如服務器電源、通信電源及工�(yè)電源�
2. DC-DC 轉換器,用于電動汽車充電裝置或便攜式儲能系統(tǒng)�
3. 射頻功率放大器,例如無線基站、雷達系�(tǒng)和衛(wèi)星通信中的高功率放大模��
4. 高速電機驅動器,特別是那些需要快速動�(tài)響應的工�(yè)自動化領域�
5. 新能源領�,比如光伏逆變器和風力�(fā)電中的功率調節(jié)單元�
PLMTA49ESDD2, PLMTA49DSDD3, TXG65N180E