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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > PNM723T201E0

PNM723T201E0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 15:29:35 查看 閱讀�30

PNM723T201E0 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高性能功率晶體�,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)� GaN FET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并減小系統(tǒng)尺寸�
  這款晶體管適用于高頻� DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及各種工�(yè)�(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):PNM723T201E0
  �(lèi)型:增強(qiáng)� GaN HEMT
  Vds(漏源電壓)�200V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�72mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):15A
  Qg(總柵極電荷):38nC
  Coss(輸出電容)�490pF
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

PNM723T201E0 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓(200V�,使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(72mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷�38nC�,可�(shí)�(xiàn)高頻操作,降低開(kāi)�(guān)損��
  4. �(yōu)化的熱性能和緊湊的封裝�(shè)�(jì),使器件在高功率密度�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  5. 支持高可靠性應(yīng)�,具備優(yōu)異的抗電磁干擾能��
  6. 兼容�(biāo)�(zhǔn) MOSFET �(qū)�(dòng)電路,簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)流程�

�(yīng)�

PNM723T201E0 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)器電源、通信電源等場(chǎng)��
  2. �(wú)線充電模�,支持更高效率的能量傳輸�
  3. �(kāi)�(guān)電源適配器,提供更小體積、更高效率的�(shè)�(jì)方案�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)器和逆變�,滿(mǎn)足高性能電力電子需��
  5. 太陽(yáng)能微型逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng),提升能量轉(zhuǎn)換效��
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的 DC-DC �(zhuǎn)換與輔助功率管理模塊�

替代型號(hào)

PNM723T201D0
  PTM723T201E0

pnm723t201e0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)