PSMN022-30BL 是一款 N 溝道功率 MOSFET,屬于 Infineon 的 PSMN 系列。該器件采用邏輯電平驅(qū)動設計,適用于中低電壓應用場合,具有較低的導通電阻和良好的開關性能,能夠有效提升系統(tǒng)的效率與可靠性。
這款 MOSFET 主要面向消費電子、工業(yè)控制及通信設備等領域,其小型化的封裝有助于節(jié)省 PCB 布局空間。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:48A
導通電阻(典型值):1.5mΩ
柵極閾值電壓:1V~2V
功耗:17W
結溫范圍:-55℃~175℃
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
PSMN022-30BL 提供了出色的電氣性能和熱性能:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可顯著降低傳導損耗,適合大電流應用。
2. 快速的開關速度,減少開關過程中的能量損失。
3. 較高的雪崩擊穿能力,增強器件在異常情況下的耐受力。
4. 采用無引腳封裝(TOLL),提升了散熱效果并減少了寄生電感影響。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合現(xiàn)代綠色設計需求。
6. 在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
PSMN022-30BL 廣泛應用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關操作的場景中:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器或主開關管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,如降壓或升壓電路中的功率開關。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率級元件。
4. 電池保護系統(tǒng)中的負載開關。
5. 各類便攜式電子設備的電源管理模塊。
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制部分。
PSMN022-30YL, PSMN023-30BL, PSMN023-30YL