R1111N251A-TR 是一款高性能� N 溝道增強型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和功率�(zhuǎn)換等電路�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠在高頻應用中提供高效的性能�
該型號屬� Nexperia 公司推出� MOSFET 系列�(chǎn)品之一,封裝形式為 SOT23-3L,非常適合空間受限的設計�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�1.1A
導通電阻:0.19Ω
總電荷量�6nC
功耗:0.33W
工作溫度范圍�-55� � +150�
R1111N251A-TR 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(0.19Ω�,能夠顯著降低導通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 小尺� SOT23-3L 封裝,適合緊湊型設計�
3. 快速開�(guān)能力,適用于高頻應用場合�
4. 寬工作溫度范圍(-55� � +150℃),確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運��
5. 高可靠性設�,具備良好的電氣特性和機械性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛材料制造�
這款 MOSFET 可以用于以下應用領域�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和開關(guān)元件�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池保護電路中的負載開關(guān)�
4. 電機�(qū)動和控制電路中的功率級開�(guān)�
5. LED �(qū)動器中的電流�(diào)節(jié)元件�
6. 各種消費類電子產(chǎn)品和工業(yè)設備中的功率管理模塊�
RFP10N05LT4, AO3400A, FDS2587B