RFD14N05LSM是一款基于溝槽技�(shù)的N溝道增強型功率MOSFET。它具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高雪崩能力等特點,適用于各種需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場�。該器件采用LFPAK56封裝形式,具備出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�,使其非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)境�
此型號主要面向消費電�、工�(yè)�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)�,可廣泛用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及電池保護電路等場景�
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.7mΩ
柵極電荷�17nC
反向恢復(fù)時間:無(由于是MOSFET,不存在反向恢復(fù)問題�
工作溫度范圍�-55℃至175�
RFD14N05LSM采用先進的溝槽式MOSFET�(jié)�(gòu),具備以下顯著特點:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,降低開�(guān)損�,特別適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩擊穿能量能力,增強了器件在異常情況下的耐用��
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠承受極端溫度條件�
5. 小尺寸LFPAK56封裝,節(jié)省PCB面積同時保持良好的散熱表�(xiàn)�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)�,具體包括:
1. 開關(guān)電源中的同步整流�
2. 電動工具及家用電器中的電機控��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與保護功��
4. 筆記本電腦及其他便攜式設(shè)備內(nèi)的負載管理電路�
5. 多種電池管理系統(tǒng)以確保安全充電和放電過程�
RFP12N10L, IRF7832TRPBF, FDS8935