RHTVSDF02R521N-S 是一款高性能的貼片式功率 MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應(yīng)用。其封裝形式� DFN8,能夠提供卓越的電氣特性和可靠��
該型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET 系列,廣泛應(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�13A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�47nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:DFN8
該器件主要應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配�、電機驅(qū)動電�、電池管理系�(tǒng)(BMS�、負(fù)載開�(guān)以及 LED �(qū)動等�(lǐng)�。在這些�(yīng)用中,RHTVSDF02R521N-S 可以提供高效、可靠的功率控制解決方案�
RHTVSDF02R521N-T, RHTVSDF02R521N-D