RLSD32A151LC 是一款由 ROHM(羅姆)生產� N 溝道邏輯 � MOSFET。該器件采用小型封裝,適用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景�
RLSD32A151LC 的設計特點在于其低導通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻和高效率應用中提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)。此�,它還具備出色的開關速度和較低的柵極電荷特�,非常適合便攜式設備、電源管理模塊及負載開關等應��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電� (Vds)�30 V
最大柵源電� (Vgs):�8 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�9.4 A
導通電� (Rds(on))�55 mΩ (典型�,Vgs=4.5V)
總柵極電� (Qg)�7 nC
開關時間:ton=15 ns, toff=16 ns
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:SOT-23
RLSD32A151LC 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能力,使其在高頻電路中表現(xiàn)出色�
3. 小型 SOT-23 封裝,適合空間受限的設計�(huán)��
4. 寬工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運行�
5. 良好的熱�(wěn)定�,進一步增強了器件的可靠��
6. 柵極驅動電壓兼容標準邏輯電平,便于與各種控制器配合使��
這些特性使 RLSD32A151LC 成為許多高效開關電路的理想選擇�
RLSD32A151LC 主要應用于以下領域:
1. 便攜式電子設備中的負載開��
2. 開關模式電源(SMPS)和 DC/DC 轉換器中的功率級開關�
3. 電池供電設備中的電源管理模塊�
4. 電機驅動電路中的開關元件�
5. 信號切換和保護電��
由于其緊湊的封裝和高效性能,這款 MOSFET 特別適合消費類電子產品和工業(yè)自動化設��
RLSS2115DFN, RLSS2125DFN