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RU1H35L 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 17:26:04 查看 閱讀�19

RU1H35L 是一種基� MOSFET 技�(shù)的功率半�(dǎo)體器件,屬于低導(dǎo)通電阻的 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。它被廣泛應(yīng)用于電源管理、馬�(dá)�(qū)�(dòng)和各種開�(guān)電路�。RU1H35L 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于�(yōu)化其�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電荷特�,從而降低功耗并提升效率。此�,該器件具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于需要高效能和高頻率工作的場(chǎng)景�
  由于 RU1H35L 具有較低的導(dǎo)通電�,因此特別適合在要求低損耗的�(yīng)用中使用,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電池供電�(shè)備中的功率控�。其封裝形式通常為表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�27A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  柵極電荷�36nC(典型值)
  總電容:1300pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263/D2PAK

特�

RU1H35L 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流條件下顯著減少功率損��
  2. 高額定電流能力,允許其在大功率應(yīng)用場(chǎng)景下可靠�(yùn)��
  3. 小巧的封裝尺寸,適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的緊湊�(shè)�(jì)需��
  4. 快速開�(guān)速度,得益于較低的柵極電�,使� RU1H35L 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  5. 較寬的工作溫度范圍,支持從極端低溫到高溫�(huán)境的使用�
  6. �(wěn)定的電氣性能和耐熱�,確保長期運(yùn)行的可靠性�
  這些特性使� RU1H35L 成為高效功率�(zhuǎn)換和控制的理想選��

�(yīng)�

RU1H35L 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  2. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  5. LED �(qū)�(dòng)器和汽車電子系統(tǒng)中的高性能開關(guān)�
  6. 筆記本電腦適配器和其他便攜式�(shè)備中的高效功率管��
  由于其高效的功率處理能力和緊湊的�(shè)�(jì),RU1H35L 在消�(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備和汽車電子等多�(gè)�(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)��

替代型號(hào)

RU1H30L, IRF3710, FDP17N30

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