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S71GL032NA0BHW0F0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 14:08:12 查看 閱讀�25

S71GL032NA0BHW0F0 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,主要用于數(shù)�(jù)存儲(chǔ)。該芯片基于先�(jìn)的制程工藝制�,具有高密度、低功耗和高可靠性的特點(diǎn),適用于各種嵌入式設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)�。這款芯片采用小型化的封裝�(shè)�(jì),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間節(jié)省的需��
  該型�(hào)� NAND 閃存支持�(biāo)�(zhǔn)的串行接口協(xié)�,便于與主控或其他系�(tǒng)組件�(jìn)行高效的�(shù)�(jù)交互�

參數(shù)

容量�32Gb
  接口類型:Toggle DDR 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:WSON
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最�400MT/s
  頁大?�?6KB
  塊大?�?024KB
  擦寫次數(shù)�3000�
  工作溫度范圍�-25°C�85°C

特�

S71GL032NA0BHW0F0 具有以下顯著特性:
  1. 高密度存�(chǔ)能力:提� 32Gb 的存�(chǔ)容量,適合需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場景�
  2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,具備高�(dá) 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率�
  3. 小型化封裝:采用 WSON 封裝形式,有效節(jié)� PCB 空間�
  4. 高可靠性:擦寫次數(shù)可達(dá) 3000 �,同�(shí)具備良好的數(shù)�(jù)保持能力�
  5. 寬溫工作范圍:能夠在 -25°C � 85°C 的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)多種�(huán)境條��
  6. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化的電路�(jié)�(gòu)使其在讀寫操作時(shí)能耗較�,延長設(shè)備電池壽��

�(yīng)�

S71GL032NA0BHW0F0 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電�、數(shù)碼相�(jī)�,提供大容量存儲(chǔ)支持�
  2. 嵌入式系�(tǒng):用于工�(yè)控制、物�(lián)�(wǎng)�(shè)備和車載系統(tǒng)中的�(shù)�(jù)記錄與存�(chǔ)�
  3. 存儲(chǔ)卡和 U 盤:作為核心存儲(chǔ)介質(zhì),實(shí)�(xiàn)高性能的便攜式存儲(chǔ)解決方案�
  4. 固態(tài)硬盤 (SSD):可作為 SSD 中的一部分,與其他組件共同�(gòu)建高效的存儲(chǔ)系統(tǒng)�

替代型號(hào)

S71GL064NA0BHW0F0
  S71GL016NA0BHW0F0

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