S71GL032NA0BHW0F0 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,主要用于數(shù)�(jù)存儲(chǔ)。該芯片基于先�(jìn)的制程工藝制�,具有高密度、低功耗和高可靠性的特點(diǎn),適用于各種嵌入式設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)�。這款芯片采用小型化的封裝�(shè)�(jì),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間節(jié)省的需��
該型�(hào)� NAND 閃存支持�(biāo)�(zhǔn)的串行接口協(xié)�,便于與主控或其他系�(tǒng)組件�(jìn)行高效的�(shù)�(jù)交互�
容量�32Gb
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:WSON
�(shù)�(jù)傳輸速率:最�400MT/s
頁大?�?6KB
塊大?�?024KB
擦寫次數(shù)�3000�
工作溫度范圍�-25°C�85°C
S71GL032NA0BHW0F0 具有以下顯著特性:
1. 高密度存�(chǔ)能力:提� 32Gb 的存�(chǔ)容量,適合需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場景�
2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,具備高�(dá) 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率�
3. 小型化封裝:采用 WSON 封裝形式,有效節(jié)� PCB 空間�
4. 高可靠性:擦寫次數(shù)可達(dá) 3000 �,同�(shí)具備良好的數(shù)�(jù)保持能力�
5. 寬溫工作范圍:能夠在 -25°C � 85°C 的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)多種�(huán)境條��
6. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化的電路�(jié)�(gòu)使其在讀寫操作時(shí)能耗較�,延長設(shè)備電池壽��
S71GL032NA0BHW0F0 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電�、數(shù)碼相�(jī)�,提供大容量存儲(chǔ)支持�
2. 嵌入式系�(tǒng):用于工�(yè)控制、物�(lián)�(wǎng)�(shè)備和車載系統(tǒng)中的�(shù)�(jù)記錄與存�(chǔ)�
3. 存儲(chǔ)卡和 U 盤:作為核心存儲(chǔ)介質(zhì),實(shí)�(xiàn)高性能的便攜式存儲(chǔ)解決方案�
4. 固態(tài)硬盤 (SSD):可作為 SSD 中的一部分,與其他組件共同�(gòu)建高效的存儲(chǔ)系統(tǒng)�
S71GL064NA0BHW0F0
S71GL016NA0BHW0F0