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SAYFH831MBA0F0A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 18:11:33 查看 閱讀：28

SAYFH831MBA0F0A是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能，適合于高效能功率轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)景。
　　該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，能夠在高頻開(kāi)關(guān)條件下保持較低的功耗，并提供穩(wěn)定的電氣特性。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：28A
　　導(dǎo)通電阻：1.4mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　輸入電容：1800pF
　　典型閾值電壓：2.3V
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

特性

SAYFH831MBA0F0A具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻應(yīng)用，減少磁性元件的體積和成本。
　　3. 出色的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下依然可以維持可靠的性能。
　　4. 緊湊的封裝設(shè)計(jì)，有助于實(shí)現(xiàn)小型化和高密度布局。
　　5. 強(qiáng)大的雪崩能力和抗靜電能力，增強(qiáng)了系統(tǒng)的魯棒性。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合多種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用需求。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制
　　6. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)電路
　　SAYFH831MBA0F0A憑借其優(yōu)越的性能表現(xiàn)，成為這些應(yīng)用中理想的功率開(kāi)關(guān)解決方案。

替代型號(hào)

SAYFH831MBB0F0A, IRF840, FDP5500

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