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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SD18-2535R8UUM2

SD18-2535R8UUM2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 13:48:13 查看 閱讀�37

SD18-2535R8UUM2是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率電力�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,從而降低功耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):SD18-2535R8UUM2
  類型:N溝道功率MOSFET
  封裝形式:TO-263(DPAK�
  最大漏源電壓VDS�40V
  最大柵源電壓VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流ID�35A
  �(dǎo)通電阻RDS(on)�2.5mΩ(典型�,在VGS=10V�(shí)�
  總功耗Ptot�115W
  工作溫度范圍TJ�-55℃至+175�
  柵極電荷Qg�29nC(典型值)

特�

SD18-2535R8UUM2具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效減少傳�(dǎo)損�,適用于大電流應(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,有助于減小磁性元件體�,優(yōu)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�
  3. 高雪崩能量承受能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
  4. 良好的熱性能,采用TO-263封裝,便于散熱管��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  這些特性使得SD18-2535R8UUM2成為工業(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)域中高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 可再生能源設(shè)備如太陽(yáng)能逆變器的功率�(jí)控制�
  SD18-2535R8UUM2憑借其�(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定性,能夠在各種復(fù)雜環(huán)境下保持高效�(yùn)��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5800, STP36NF06L

sd18-2535r8uum2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)