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時(shí)間：2025/5/29 19:51:01
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SE10F20B15LA是一款高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），主要用于開關(guān)和放大應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他功率電子電路中。
這款FET屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其設(shè)計(jì)優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能和靜態(tài)特性，從而在高效能轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。由于其出色的電氣特性和可靠性，SE10F20B15LA被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及汽車電子領(lǐng)域。
最大漏源電壓：200V
連續(xù)漏極電流：15A
導(dǎo)通電阻：10mΩ
柵極電荷：35nC
總功耗：200W
工作溫度范圍：-55℃至175℃
SE10F20B15LA的主要特性包括：
1. 高擊穿電壓：能夠承受高達(dá)200V的工作電壓，適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻：僅為10mΩ，在大電流應(yīng)用中減少功率損耗，提高效率。
3. 快速開關(guān)能力：具備較低的柵極電荷（35nC），確保高速切換時(shí)降低開關(guān)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：能夠在-55℃至175℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)惡劣環(huán)境。
5. 高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制流程，確保長時(shí)間使用下的耐用性與一致性。
6. 小尺寸封裝：采用緊湊型設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間，便于高密度電路布局。
SE10F20B15LA適用于以下典型應(yīng)用：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的半橋或全橋配置。
3. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)開關(guān)。
4. LED照明驅(qū)動(dòng)器中的負(fù)載控制。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和電源調(diào)節(jié)。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
SE10F20B10HA, IRFZ44N, FDP55N20
