SE23T32B3612B 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和卓越的熱性能,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� DPAK 封裝(TO-252�,確保了良好的散熱特性和�(jī)械穩(wěn)定�,適用于�(duì)可靠性要求較高的工業(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)��
型號(hào):SE23T32B3612B
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極耐壓):30V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�2.8mΩ
ID(持�(xù)電流):140A
Qg(柵極電荷)�47nC
EAS(雪崩能量)�150mJ
fT(截止頻率)�2.5MHz
封裝:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
SE23T32B3612B 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),能夠在高電流條件下提供高效的開�(guān)性能,從而減少系�(tǒng)�(fā)��
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,適合現(xiàn)代高效電源轉(zhuǎn)換器�
3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性�
4. 改�(jìn)的熱阻設(shè)�(jì),使得芯片即使在高功率密度下也能保持較低的工作溫度�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到綠色能源產(chǎn)品中�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升了器件的抗靜電能力,保障長(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定性�
SE23T32B3612B 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),用于提高效率和減小體積�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng),特別是在需要頻繁啟�(dòng)/停止或負(fù)載突變的�(chǎng)景中�
3. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能設(shè)備中的功率管理模��
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器,滿足便攜式�(shè)備對(duì)小型化和�(zhǎng)�(xù)航的需��
6. LED 照明�(qū)�(dòng),提供穩(wěn)定可靠的亮度控制�
SE23T32B3612G, IRF3205, FDP5510